Номер детали производителя : | RS1DL RQG | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GP 200V 800MA SUB SMA | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RS1DL RQG.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RS1DL RQG |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GP 200V 800MA SUB SMA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | RS1DL RQG.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.3 V @ 800 mA |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 200 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | Sub SMA |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 150 ns |
Упаковка / | DO-219AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 800mA |
Емкостной @ В.Р., F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | RS1D |
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
150NS, 0.8A, 200V, FAST RECOVERY
DIODE GP 200V 800MA SUB SMA